IRF9540NPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF9540NPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF9540NPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

117 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

140W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

97nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF9540NPBF".

IRF9530STRL

Descripción: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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