International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF8915

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Especificaciones

Número de pieza

IRF8915
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / No conforme a RoHS
Especificaciones

IRF8915.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

*IRF8915
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.9A

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