International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7665S2TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7665S2TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7665S2TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET SB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

62 mOhm @ 8.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric SB
Otros nombres

IRF7665S2TRPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

515pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Ta), 14.4A (Tc)

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

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