International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7601TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7601TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF7601TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro8™
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres

*IRF7601TR
IRF7601
IRF7601CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta)

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IRF7534D1PBF

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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