International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7433TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7433TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7433TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 8.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF7433PBFTR
IRF7433TRPBF-ND
IRF7433TRPBFTR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1877pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.9A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF7433TRPBF".

IRF7426TR

Descripción: MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7433TRPBF

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