International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6718L2TR1PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6718L2TR1PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6718L2TR1PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.35V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET L6
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

0.7 mOhm @ 61A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.3W (Ta), 83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric L6
Otros nombres

IRF6718L2TR1PBFTR
SP001530258
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

96nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

61A (Ta), 270A (Tc)

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IRF6721STRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF6718L2TR1PBF

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