International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6646TR1

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6646TR1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF6646TR1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MN
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MN
Otros nombres

IRF6646TR1CT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 68A (Tc)

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IRF6662TR1PBF

Descripción: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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