International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6612TR1

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6612TR1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF6612TR1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET™ MX
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.3 mOhm @ 24A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric MX
Otros nombres

*IRF6612
IRF6612CT
IRF6612CT-ND
IRF6612TR1CT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3970pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 136A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF6612TR1".

IRF6614TR1

Descripción: MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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