International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6201TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF6201TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF6201TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 100µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF6201TRPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8555pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

195nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 27A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF6201TRPBF".

IRF620S

Descripción: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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