IRF5806

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Especificaciones

Número de pieza

IRF5806
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF5806.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro6™(TSOP-6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

86 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

594pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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