IRF5802TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRF5802TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF5802TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro6™(TSOP-6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 540mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRF5802TR".

IRF540ZSTRR

Descripción: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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