International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3805S-7PPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF3805S-7PPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRF3805S-7PPBF.pdf
2.IRF3805S-7PPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK (7-Lead)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 140A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Otros nombres

64-2095PBF
64-2095PBF-ND
IRF3805S7PPBF
SP001553992
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7820pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

200nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

160A (Tc)

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IRF3805STRL-7PP

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