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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3707ZS

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Especificaciones

Número de pieza

IRF3707ZS
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF3707ZS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo)

57W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

*IRF3707ZS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 59A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

59A (Tc)

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IRF3707ZCSPBF

Descripción: MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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