International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF200B211

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Especificaciones

Número de pieza

IRF200B211
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF200B211.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.9V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®, StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

170 mOhm @ 7.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

80W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SP001561622
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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IRF2204PBF

Descripción: MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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