International Rectifier (Infineon Technologies)

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPZ40N04S5L2R8ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 30µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

71W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

52nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 40A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 8TDSON

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