International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU80R1K4P7AKMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPU80R1K4P7AKMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

32W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

SP001422742
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.05nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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IPU80R2K4P7AKMA1

Descripción: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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