International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS70R1K4P7SAKMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPS70R1K4P7SAKMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPS70R1K4P7SAKMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 40µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

22.7W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

SP001499706
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

158pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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Descripción: CONSUMER

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