International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS110N12N3GBKMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPS110N12N3GBKMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPS110N12N3GBKMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

136W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

120V
Descripción detallada

N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

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IPS105N03LGAKMA1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPS110N12N3GBKMA1

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