International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS060N03LGAKMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPS060N03LGAKMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPS060N03LGAKMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

56W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

IPS060N03L G
IPS060N03LGIN
IPS060N03LGIN-ND
IPS060N03LGXK
SP000705724
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPS04N03LB G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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