International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS03N03LB G

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Especificaciones

Número de pieza

IPS03N03LB G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPS03N03LB G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 70µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

115W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres

IPS03N03LB G-ND
IPS03N03LBG
IPS03N03LBGX
SP000220141
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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IPS042GTR

Descripción: IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC

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