International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP60R165CPXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPP60R165CPXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP60R165CPXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 790µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

165 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

192W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP60R165CP
IPP60R165CP-ND
IPP60R165CPX
IPP60R165CPXK
SP000084279
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

52nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 21A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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IPP60R099P6XKSA1

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