3208220

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP100N08N3GXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPP100N08N3GXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP100N08N3GXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 46A, 10V
La disipación de energía (máximo)

100W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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IPP100N06S2L05AKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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