International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP080N06N G

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Especificaciones

Número de pieza

IPP080N06N G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPP080N06N G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

IPP080N06N G-ND
IPP080N06NG
IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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