International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN60R360P7SATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPN60R360P7SATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPN60R360P7SATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 140µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-SOT223
Serie

CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-223-3
Otros nombres

IPN60R360P7SATMA1-ND
IPN60R360P7SATMA1TR
SP001681928
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 9A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Descripción: CONSUMER

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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