International Rectifier (Infineon Technologies)

IPLU300N04S4R7XTMA2

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Especificaciones

Número de pieza

IPLU300N04S4R7XTMA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 8HSOF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 230µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8-1
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

0.76 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

429W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

SP001097228
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22945pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

287nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 300A (Tc) 429W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300A (Tc)

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IPLA32L3R0KD

Descripción: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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