International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI530N15N3GXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPI530N15N3GXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPI530N15N3GXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 35µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

53 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

68W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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IPI50N12S3L15AKSA1

Descripción: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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