International Rectifier (Infineon Technologies)

IPG20N06S2L35AATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPG20N06S2L35AATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 27µA
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8-10
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 15A, 10V
Potencia - Max

65W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

IPG20N06S2L35AATMA1-ND
IPG20N06S2L35AATMA1TR
SP001023838
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2A (Tc) 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

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IPG20N06S3L-35

Descripción: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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