International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60N10S4L12ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 46µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3-313
Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

94W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD60N10S4L12ATMA1-ND
IPD60N10S4L12ATMA1TR
SP000866550
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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IPD600N25N3GBTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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