IPD40N03S4L08ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD40N03S4L08ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD40N03S4L08ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 13µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3-11
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SP000475916
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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IPD5024-760S

Descripción: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 50.4W

Fabricantes: ICCNexergy (Inventus Power)

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