International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD12CN10NGATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD12CN10NGATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

12.4 mOhm @ 67A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD12CN10NGATMA1-ND
IPD12CN10NGATMA1TR
SP001127806
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4320pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

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IPD105N04LGBTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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