IPC218N06N3X1SA2

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Especificaciones

Número de pieza

IPC218N06N3X1SA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPC218N06N3X1SA2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 196µA
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Sawn on foil
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

SP000544188
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 3A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tj)

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Descripción: MV POWER MOS

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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