International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R095C7ATMA2

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Especificaciones

Número de pieza

IPB65R095C7ATMA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB65R095C7ATMA2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 590µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-3
Serie

CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs

95 mOhm @ 11.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

128W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPB65R095C7ATMA2TR
SP002447562
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2140pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 24A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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IPB65R150CFDATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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