International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R199CPAATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB60R199CPAATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB60R199CPAATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 1.1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

199 mOhm @ 9.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

139W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SP000539966
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1520pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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IPB60R125CPATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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