International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R040C7ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB60R040C7ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB60R040C7ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1.24mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-3
Serie

CoolMOS™ C7
RDS (Max) @Id, Vgs

40 mOhm @ 24.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Otros nombres

IPB60R040C7ATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

107nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPB48010A033V-001-R

Descripción: DC DC CONVERTER 3.3V

Fabricantes: TDK-Lambda Americas, Inc.

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