International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB083N15N5LFATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB083N15N5LFATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB083N15N5LFATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.9V @ 134µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

179W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPB083N15N5LFATMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

N-Channel 150V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

105A (Tc)

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IPB093N04LGATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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