International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06N03LB

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Especificaciones

Número de pieza

IPB06N03LB
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IPB06N03LB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 40µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IPB06N03LBT
SP000065274
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2782pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPB06N03LA G

Descripción: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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