International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB017N10N5LFATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB017N10N5LFATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.1V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-7
Serie

OptiMOS™-5
RDS (Max) @Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

313W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres

IPB017N10N5LFATMA1DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

195nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 180A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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