IPAW70R600CEXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPAW70R600CEXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPAW70R600CEXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 210µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-3-31 Full Pack
Serie

CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

86W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP001619370
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

474pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IPAW70R600CEXKSA1".

IPAW60R600P7SXKSA1

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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