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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA60R600E6XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPA60R600E6XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPA60R600E6XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-FP
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

600 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

28W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A (Tc)

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IPA60R600P6XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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