International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA60R180P7SXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPA60R180P7SXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IPA60R180P7SXKSA1.pdf
2.IPA60R180P7SXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 280µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220 Full Pack
Serie

CoolMOS™ P7
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 5.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

26W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP001606066
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1081pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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IPA60R160P6XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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