International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA029N06NXKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPA029N06NXKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPA029N06NXKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.3V @ 75µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO220-FP
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.9 mOhm @ 84A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

SP001199858
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5125pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

66nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 84A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

84A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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