IDH06G65C5XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IDH06G65C5XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IDH06G65C5XKSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Silicon Carbide Schottky
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

6A (DC)
Tensión - Desglose

PG-TO220-2
Serie

thinQ!™
Estado RoHS

Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F

190pF @ 1V, 1MHz
Polarización

TO-220-2
Otros nombres

IDH06G65C5
IDH06G65C5-ND
SP000925202
Temperatura de funcionamiento - Junction

0ns
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

IDH06G65C5XKSA1
Descripción ampliada

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2
configuración de diodo

210µA @ 650V
Descripción

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.7V @ 6A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

650V
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 175°C

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IDH08G65C6XKSA1

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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