FZ800R33KL2CB5NOSA1

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Especificaciones

Número de pieza

FZ800R33KL2CB5NOSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT MODULE 3300V IHV 130MM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

FZ800R33KL2CB5NOSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

3300V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 800A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
Potencia - Max

9800W
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

SP000100622
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C (TJ)
termistor NTC

No
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

97nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
Descripción detallada

IGBT Module 3300V 1500A 9800W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max)

5mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

1500A

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GSID200A120S5C1

Descripción: IGBT MODULE 1200V 335A

Fabricantes: Global Power Technologies Group

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