DF23MR12W1M1B11BOMA1

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Especificaciones

Número de pieza

DF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET MODULE 1200V 25A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DF23MR12W1M1B11BOMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 10mA
Paquete del dispositivo

Module
Serie

CoolSiC™
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 25A, 15V
Potencia - Max

20mW
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

SP001602244
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

620nC @ 15V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V (1.2kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 25A 20mW Chassis Mount Module
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A

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