DD800S17H4B2BOSA2

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Especificaciones

Número de pieza

DD800S17H4B2BOSA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

DD800S17H4B2BOSA2.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.1V @ 800A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1700V
Paquete del dispositivo

Module
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

DD800S17H4_B2
DD800S17H4_B2-ND
SP001051982
Temperatura de funcionamiento - Junction

-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

34 Weeks
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

2 Independent
Descripción detallada

Diode Array 2 Independent Standard 1700V Chassis Mount Module
Corriente - Fuga inversa a Vr

900A @ 900V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

-

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DD89N12KKHPSA1

Descripción: DIODE ARRAY MOD 1200V 140A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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