DD1200S12H4HOSA1

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Especificaciones

Número de pieza

DD1200S12H4HOSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOD DIODE 1200A IHMB130-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DD1200S12H4HOSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 1200A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
Potencia - Max

1200000W
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

SP001172132
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C
termistor NTC

No
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
Descripción detallada

IGBT Module 2 Independent 1200V 1200A 1200000W Chassis Mount Module
Corriente - colector (Ic) (Max)

1200A
Configuración

2 Independent

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DD12.9121.111

Descripción: PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL

Fabricantes: Schurter

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