International Rectifier (Infineon Technologies)

BTS282Z E3230

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Especificaciones

Número de pieza

BTS282Z E3230
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BTS282Z E3230.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 240µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

P-TO220-7-230
Serie

TEMPFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.5 mOhm @ 36A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-7
Otros nombres

BTS282Z E3230-ND
BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

232nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Temperature Sensing Diode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

49V
Descripción detallada

N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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