International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ018NE2LSIATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSZ018NE2LSIATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSZ018NE2LSIATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8-FL
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSZ018NE2LSI
BSZ018NE2LSI-ND
BSZ018NE2LSIATMA1TR
BSZ018NE2LSITR-ND
SP000906032
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 40A (Tc)

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BSZ019N03LSATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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