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BSS83PL6327HTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSS83PL6327HTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSS83PL6327HTSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 330mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
BSS83PL6327HTSA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.57nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

330mA (Ta)

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BSS84,215

Descripción:

Fabricantes: Nexperia

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