BSS670S2LL6327HTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSS670S2LL6327HTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSS670S2LL6327HTSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 2.7µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

650 mOhm @ 270mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
BSS670S2LL6327HTSA1TR
SP000247301
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.26nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

540mA (Ta)

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BSS63

Descripción: TRANS PNP 100V 0.2A SOT23

Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor

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